FDFC3N108 - MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6

Número de pieza del fabricante

FDFC3N108

Número interno de parte

AX-FDFC3N108

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

69330 Pieces

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Especificaciones para FDFC3N108

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDFC3N108

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 355pF @ 10V

Característica FET : Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (max) : -

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SuperSOT™-6

Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDFC3N108

Hojas de datos : FDFC3N108.pdf

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