FDD86367 - MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252

Número de pieza del fabricante

FDD86367

Número interno de parte

AX-FDD86367

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

470115 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDD86367

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDD86367

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252

Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4840pF @ 40V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 227W (Tj)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D-PAK (TO-252)

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDD86367

Hojas de datos : FDD86367.pdf

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