IDC51D120T6MX1SA3 - DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
61520 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IDC51D120T6MX1SA3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IDC51D120T6MX1SA3
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1200V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 100A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 2.05V @ 100A
Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : -
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 18µA @ 1200V
Capacitancia a Vr, F : -
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : Die
Paquete del dispositivo del proveedor : Sawn on foil
Temperatura de funcionamiento - Unión : -40°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IDC51D120T6MX1SA3
Hojas de datos : IDC51D120T6MX1SA3.pdf
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