IPD65R650CEATMA1 - MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Número de pieza del fabricante

IPD65R650CEATMA1

Número interno de parte

AX-IPD65R650CEATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

23240 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IPD65R650CEATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPD65R650CEATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Serie : CoolMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10.1A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 0.21mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 440pF @ 100V

Característica FET : Super Junction

Disipación de potencia (max) : 86W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO252-3

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPD65R650CEATMA1

Hojas de datos : IPD65R650CEATMA1.pdf

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