FDS3812 - MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

FDS3812

Número interno de parte

AX-FDS3812

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

26439 Pieces

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Especificaciones para FDS3812

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDS3812

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 74 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 634pF @ 40V

Potencia - max : 900mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDS3812

Hojas de datos : FDS3812.pdf

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