IXTP08N50D2 - MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
280000 Pieces
Precio de referencia
USD 1.002
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Especificaciones para IXTP08N50D2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IXTP08N50D2
Fabricante : IXYS
Descripción : MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 800mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12.7nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 312pF @ 25V
Característica FET : Depletion Mode
Disipación de potencia (max) : 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : IXTP08N50D2.pdf

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