SI2337DS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
983190 Pieces
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Especificaciones para SI2337DS-T1-GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SI2337DS-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
2.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
500pF @ 40V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SI2337DS-T1-GE3
Hojas de datos :
SI2337DS-T1-GE3.pdf
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