IRF7341PBF - MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

IRF7341PBF

Número interno de parte

AX-IRF7341PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

26376 Pieces

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Especificaciones para IRF7341PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF7341PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 55V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 740pF @ 25V

Potencia - max : 2W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRF , IRF73

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Hojas de datos : IRF7341PBF.pdf

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