H7N1002LS-E - MOSFET N-CH 100V LDPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-H7N1002LS-E
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
52746 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para H7N1002LS-E
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
H7N1002LS-E
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descripción :
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
75A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
9700pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
4-LDPAK
Paquete / Caja :
SC-83
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para H7N1002LS-E
Hojas de datos :
H7N1002LS-E.pdf
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