TC58BYG0S3HBAI4 - 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
123785 Pieces
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Especificaciones para TC58BYG0S3HBAI4
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TC58BYG0S3HBAI4
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descripción : 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Serie : Benand™
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Non-Volatile
Formato de memoria : FLASH
Tecnología : FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria : 1Gb (128M x 8)
Frecuencia de reloj : -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 25ns
Tiempo de acceso : -
interfaz de memoria : -
Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 63-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 63-TFBGA (9x11)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para TC58BYG0S3HBAI4
Hojas de datos : TC58BYG0S3HBAI4.pdf
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