NDBA180N10BT4H - MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

Número de pieza del fabricante

NDBA180N10BT4H

Número interno de parte

AX-NDBA180N10BT4H

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

21808 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para NDBA180N10BT4H

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NDBA180N10BT4H

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 180A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V, 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6950pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 200W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D²PAK (TO-263)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NDBA , NDBA180

Documentos para NDBA180N10BT4H

Hojas de datos : NDBA180N10BT4H.pdf

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