STD6N65M2 - MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-STD6N65M2
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
594045 Pieces
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Especificaciones para STD6N65M2
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : STD6N65M2
Fabricante : STMicroelectronics
Descripción : MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Serie : MDmesh™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 226pF @ 100V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para STD6N65M2
Hojas de datos : STD6N65M2.pdf
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