SQJ204EP-T1_GE3 - MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Número de pieza del fabricante

SQJ204EP-T1_GE3

Número interno de parte

AX-SQJ204EP-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

724955 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.387006~~

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Especificaciones para SQJ204EP-T1_GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SQJ204EP-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V, 50nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V

Potencia - max : 27W (Tc), 48W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : PowerPAK® SO-8 Dual

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SQJ204EP-T1_GE3

Hojas de datos : SQJ204EP-T1_GE3.pdf

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