SQJ204EP-T1_GE3 - MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
724955 Pieces
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Especificaciones para SQJ204EP-T1_GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SQJ204EP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Potencia - max :
27W (Tc), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SQJ204EP-T1_GE3
Hojas de datos :
SQJ204EP-T1_GE3.pdf
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