FDP8D5N10C - FET ENGR DEV-NOT REL

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
FET ENGR DEV-NOT REL
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
199300 Pieces
Precio de referencia
USD 1.407684
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Especificaciones para FDP8D5N10C

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FDP8D5N10C
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : FET ENGR DEV-NOT REL
Serie : PowerTrench®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 76A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 130µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2475pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220-3
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : FDP8D5N10C.pdf

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