PHB11N06LT,118 - MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
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Breve descripción
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
24178 Pieces
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Especificaciones para PHB11N06LT,118
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
PHB11N06LT,118
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descripción :
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Serie :
TrenchMOS™
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
10.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 5V
Vgs (Max) :
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
330pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
D2PAK
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para PHB11N06LT,118
Hojas de datos :
PHB11N06LT,118.pdf
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