IXFN70N120SK - MOSFET N-CH

Número de pieza del fabricante

IXFN70N120SK

Número interno de parte

AX-IXFN70N120SK

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

7288 Pieces

Precio de referencia

~~USD 61.533~~

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Especificaciones para IXFN70N120SK

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXFN70N120SK

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 68A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 15mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 161nC @ 20V

Vgs (Max) : +20V, -5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2790pF @ 1000V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : -

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-227B

Paquete / Caja : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IXFN , IXFN70

Documentos para IXFN70N120SK

Hojas de datos : IXFN70N120SK.pdf

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