IPI47N10S33AKSA1 - MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3

Número de pieza del fabricante

IPI47N10S33AKSA1

Número interno de parte

AX-IPI47N10S33AKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

371535 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.755136~~

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Especificaciones para IPI47N10S33AKSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPI47N10S33AKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 47A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2500pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 175W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO262-3

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPI47 , IPI47N10

Documentos para IPI47N10S33AKSA1

Hojas de datos : IPI47N10S33AKSA1.pdf

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