IRF6678TR1PBF - MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
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9000 Pieces
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Especificaciones para IRF6678TR1PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IRF6678TR1PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30A (Ta), 150A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.25V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5640pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja : DirectFET™ Isometric MX
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : IRF6678TR1PBF.pdf

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