IPW65R190C6FKSA1 - MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
13072 Pieces
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Especificaciones para IPW65R190C6FKSA1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IPW65R190C6FKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
Serie : CoolMOS™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 730µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1620pF @ 100V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO247-3
Paquete / Caja : TO-247-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IPW65R190C6FKSA1
Hojas de datos : IPW65R190C6FKSA1.pdf
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