IRF200P223 - MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Número de pieza del fabricante

IRF200P223

Número interno de parte

AX-IRF200P223

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

52044 Pieces

Precio de referencia

~~USD 6.468~~

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Especificaciones para IRF200P223

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF200P223

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Serie : StrongIRFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5094pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 313W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247AC

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRF , IRF20

Documentos para IRF200P223

Hojas de datos : IRF200P223.pdf

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