CSD19538Q2T - MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-CSD19538Q2T
Fabricante
Breve descripción
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1004910 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para CSD19538Q2T
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
CSD19538Q2T
Fabricante :
Texas Instruments
Descripción :
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Serie :
NexFET™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
13.1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
454pF @ 50V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-WSON (2x2)
Paquete / Caja :
6-WDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para CSD19538Q2T
Hojas de datos :
CSD19538Q2T.pdf
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