RS1G180MNTB - MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
835005 Pieces
Precio de referencia
USD 0.336
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Especificaciones para RS1G180MNTB

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : RS1G180MNTB
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 18A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 19.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1293pF @ 20V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-HSOP
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : RS1 , RS1G1

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Hojas de datos : RS1G180MNTB.pdf

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