FQB55N10TM - MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

Número de pieza del fabricante

FQB55N10TM

Número interno de parte

AX-FQB55N10TM

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

316485 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.886488~~

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Especificaciones para FQB55N10TM

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQB55N10TM

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 55A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2730pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.75W (Ta), 155W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D²PAK (TO-263AB)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FQB , FQB55

Documentos para FQB55N10TM

Hojas de datos : FQB55N10TM.pdf

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