BSS192PH6327XTSA1 - MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2427735 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para BSS192PH6327XTSA1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
BSS192PH6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Serie :
SIPMOS™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
190mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 130µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
104pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
PG-SOT89
Paquete / Caja :
TO-243AA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para BSS192PH6327XTSA1
Hojas de datos :
BSS192PH6327XTSA1.pdf
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