IRF6645 - MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ

Número de pieza del fabricante

IRF6645

Número interno de parte

AX-IRF6645

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

10312 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IRF6645

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF6645

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.7A (Ta), 25A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 50µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 890pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DIRECTFET™ SJ

Paquete / Caja : DirectFET™ Isometric SJ

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IR , IRF

Documentos para IRF6645

Hojas de datos : IRF6645.pdf

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