K4FHE3D4HM-MHCJ - 24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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Breve descripción
24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
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Especificaciones para K4FHE3D4HM-MHCJ
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : K4FHE3D4HM-MHCJ
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descripción : 24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Serie : DDR3
Densidad : 24 Gb
Org. : x32
Velocidad : 3733 Mbps
voltaje : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temperatura. : -40 ~ 105 °C
Paquete : 200FBGA
Estado del producto : Mass Production
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para K4FHE3D4HM-MHCJ
Hojas de datos : K4FHE3D4HM-MHCJ.pdf
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