TP65H050WS - GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TP65H050WS
Fabricante
Breve descripción
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
40425 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para TP65H050WS
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TP65H050WS
Fabricante :
Transphorm
Descripción :
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
34A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 700µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1000pF @ 400V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
119W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-247-3
Paquete / Caja :
TO-247-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TP65H050WS
Hojas de datos :
TP65H050WS.pdf
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