1N6483-E3/97 - DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
5126700 Pieces
Precio de referencia
USD 0.054726
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Especificaciones para 1N6483-E3/97

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : 1N6483-E3/97
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción : DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Serie : SUPERECTIFIER®
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 800V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.1V @ 1A
Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : -
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 800V
Capacitancia a Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : DO-213AB, MELF (Glass)
Paquete del dispositivo del proveedor : DO-213AB
Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : 1N6483-E3/97.pdf

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