TK50P04M1(T6RSS-Q) - MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1300350 Pieces
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Especificaciones para TK50P04M1(T6RSS-Q)
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TK50P04M1(T6RSS-Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Serie :
U-MOSVI-H
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
50A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2600pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
DP
Paquete / Caja :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TK50P04M1(T6RSS-Q)
Hojas de datos :
TK50P04M1(T6RSS-Q).pdf
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