TK50P04M1(T6RSS-Q) - MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3

Número de pieza del fabricante

TK50P04M1(T6RSS-Q)

Número interno de parte

AX-TK50P04M1(T6RSS-Q)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1300350 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.21576~~

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Especificaciones para TK50P04M1(T6RSS-Q)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK50P04M1(T6RSS-Q)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3

Serie : U-MOSVI-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 500µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2600pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 60W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DP

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TK50P0 , TK50P04M1

Documentos para TK50P04M1(T6RSS-Q)

Hojas de datos : TK50P04M1(T6RSS-Q).pdf

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