IPG20N04S4L08AATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
807730 Pieces
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Especificaciones para IPG20N04S4L08AATMA1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IPG20N04S4L08AATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 22µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
3050pF @ 25V
Potencia - max :
54W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor :
PG-TDSON-8-10
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IPG20N04S4L08AATMA1
Hojas de datos :
IPG20N04S4L08AATMA1.pdf
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