BSZ120P03NS3EGATMA1 - MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Número de pieza del fabricante

BSZ120P03NS3EGATMA1

Número interno de parte

AX-BSZ120P03NS3EGATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1736830 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.161538~~

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Especificaciones para BSZ120P03NS3EGATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSZ120P03NS3EGATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Ta), 40A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 73µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3360pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.1W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TSDSON-8

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BSZ120 , BSZ120P03

Documentos para BSZ120P03NS3EGATMA1

Hojas de datos : BSZ120P03NS3EGATMA1.pdf

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