FDZ3N513ZT - MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

Número de pieza del fabricante

FDZ3N513ZT

Número interno de parte

AX-FDZ3N513ZT

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

10808 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDZ3N513ZT

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDZ3N513ZT

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.1A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 3.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 462 mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 4.5V

Vgs (Max) : +5.5V, -0.3V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 85pF @ 15V

Característica FET : Schottky Diode (Body)

Disipación de potencia (max) : 1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 4-WLCSP (0.96x0.96)

Paquete / Caja : 4-UFBGA, WLCSP

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FDZ , FDZ3N

Documentos para FDZ3N513ZT

Hojas de datos : FDZ3N513ZT.pdf

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