IXFT6N100F - MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IXFT6N100F
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
55938 Pieces
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Especificaciones para IXFT6N100F
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IXFT6N100F
Fabricante : IXYS-RF
Descripción : MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Serie : HiPerRF™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1770pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-268 (IXFT)
Paquete / Caja : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IXFT6N100F
Hojas de datos : IXFT6N100F.pdf
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