FQI10N60CTU - MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

Número de pieza del fabricante

FQI10N60CTU

Número interno de parte

AX-FQI10N60CTU

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

70650 Pieces

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Especificaciones para FQI10N60CTU

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQI10N60CTU

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 730 mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2040pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.13W (Ta), 156W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I2PAK (TO-262)

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FQI , FQI10

Documentos para FQI10N60CTU

Hojas de datos : FQI10N60CTU.pdf

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