AS4C16M16D2-25BIN - IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Número de pieza del fabricante

AS4C16M16D2-25BIN

Número interno de parte

AX-AS4C16M16D2-25BIN

Fabricante

Alliance Memory, Inc.

Breve descripción

IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

135385 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.304~~

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Especificaciones para AS4C16M16D2-25BIN

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AS4C16M16D2-25BIN

Fabricante : Alliance Memory, Inc.

Descripción : IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - DDR2

Tamaño de la memoria : 256Mb (16M x 16)

Frecuencia de reloj : 400MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns

Tiempo de acceso : 400ps

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.9V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 95°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 84-TFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 84-TFBGA (8x12.5)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : AS4C1 , AS4C16M1

Documentos para AS4C16M16D2-25BIN

Hojas de datos : AS4C16M16D2-25BIN.pdf

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Número de pieza	Marca	Descripción
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PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 14KV SCREW.
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PEF220WP60238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
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WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
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WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 10KV SCREW.
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