FQP4N80 - MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FQP4N80
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
246105 Pieces
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Especificaciones para FQP4N80
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FQP4N80
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
Serie : QFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 880pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para FQP4N80
Hojas de datos : FQP4N80.pdf
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