RQ7E110AJTCR - NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

Número de pieza del fabricante

RQ7E110AJTCR

Número interno de parte

AX-RQ7E110AJTCR

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1321665 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para RQ7E110AJTCR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RQ7E110AJTCR

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 4.5A, 11V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 10mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2410pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TSMT8

Paquete / Caja : 8-SMD, Flat Lead

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : RQ7E , RQ7E11

Documentos para RQ7E110AJTCR

Hojas de datos : RQ7E110AJTCR.pdf

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