K4A8G165WB-BITD - 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
134370 Pieces
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Especificaciones para K4A8G165WB-BITD
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
K4A8G165WB-BITD
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descripción :
8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Serie :
DDR4
Densidad :
8 Gb
Org. :
512M x 16
Velocidad :
2666 Mbps
voltaje :
1.2 V
Temperatura. :
-40 ~ 95 °C
Paquete :
96FBGA
Estado del producto :
Mass Production
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para K4A8G165WB-BITD
Hojas de datos :
K4A8G165WB-BITD.pdf
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