SIDC24D30SIC3 - DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
12280 Pieces
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Especificaciones para SIDC24D30SIC3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SIDC24D30SIC3
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Serie : -
Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 300V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 10A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 10A
Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 200µA @ 300V
Capacitancia a Vr, F : 600pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : Die
Paquete del dispositivo del proveedor : Sawn on foil
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SIDC24D30SIC3
Hojas de datos : SIDC24D30SIC3.pdf
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