SIDC24D30SIC3 - DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
12280 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para SIDC24D30SIC3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SIDC24D30SIC3
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Serie :
-
Estado de la pieza :
Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
300V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
10A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.7V @ 10A
Velocidad :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
200µA @ 300V
Capacitancia a Vr, F :
600pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
Die
Paquete del dispositivo del proveedor :
Sawn on foil
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-55°C ~ 175°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SIDC24D30SIC3
Hojas de datos :
SIDC24D30SIC3.pdf
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