FDFME2P823ZT - MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Número de pieza del fabricante

FDFME2P823ZT

Número interno de parte

AX-FDFME2P823ZT

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

20048 Pieces

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Especificaciones para FDFME2P823ZT

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDFME2P823ZT

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.6A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 405pF @ 10V

Característica FET : Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (max) : 1.4W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-MicroFET (1.6x1.6)

Paquete / Caja : 6-UFDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FDFM , FDFME2

Documentos para FDFME2P823ZT

Hojas de datos : FDFME2P823ZT.pdf

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