IXFB50N80Q2 - MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IXFB50N80Q2
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
23760 Pieces
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Especificaciones para IXFB50N80Q2
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IXFB50N80Q2
Fabricante : IXYS
Descripción : MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Serie : HiPerFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7200pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : PLUS264™
Paquete / Caja : TO-264-3, TO-264AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IXFB50N80Q2
Hojas de datos : IXFB50N80Q2.pdf
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