W979H6KBVX2E - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Número de pieza del fabricante

W979H6KBVX2E

Número interno de parte

AX-W979H6KBVX2E

Fabricante

Winbond Electronics

Breve descripción

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

130120 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.397252~~

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Especificaciones para W979H6KBVX2E

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : W979H6KBVX2E

Fabricante : Winbond Electronics

Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - Mobile LPDDR2

Tamaño de la memoria : 512Mb (32M x 16)

Frecuencia de reloj : 400MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns

Tiempo de acceso : -

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.14V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento : -25°C ~ 85°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 134-VFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 134-VFBGA (10x11.5)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : W979 , W979H6

Documentos para W979H6KBVX2E

Hojas de datos : W979H6KBVX2E.pdf

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