NVATS5A113PLZT4G - MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK

Número de pieza del fabricante

NVATS5A113PLZT4G

Número interno de parte

AX-NVATS5A113PLZT4G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

766955 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.365814~~

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Especificaciones para NVATS5A113PLZT4G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVATS5A113PLZT4G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 38A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29.5 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2400pF @ 20V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 60W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : ATPAK

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para NVATS5A113PLZT4G

Hojas de datos : NVATS5A113PLZT4G.pdf

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