PMPB215ENEAX - MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220

Número de pieza del fabricante

PMPB215ENEAX

Número interno de parte

AX-PMPB215ENEAX

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2079820 Pieces

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Especificaciones para PMPB215ENEAX

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMPB215ENEAX

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.9A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 215pF @ 40V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DFN2020MD-6

Paquete / Caja : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : PMPB215ENEAX.pdf

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