CSD25304W1015T - MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1251485 Pieces
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Especificaciones para CSD25304W1015T
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : CSD25304W1015T
Fabricante : Texas Instruments
Descripción : MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Serie : NexFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.15V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 595pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-DSBGA
Paquete / Caja : 6-UFBGA, DSBGA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para CSD25304W1015T
Hojas de datos : CSD25304W1015T.pdf
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