TRS8E65C,S1Q - DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TRS8E65C,S1Q
Fabricante
Breve descripción
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
62485 Pieces
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Especificaciones para TRS8E65C,S1Q
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TRS8E65C,S1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 650V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 8A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 8A
Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 90µA @ 650V
Capacitancia a Vr, F : 44pF @ 650V, 1MHz
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete / Caja : TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220-2L
Temperatura de funcionamiento - Unión : 175°C (Max)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para TRS8E65C,S1Q
Hojas de datos : TRS8E65C,S1Q.pdf
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