PSMN2R0-30YL,115 - MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
977225 Pieces
Precio de referencia
USD 0.2871
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Especificaciones para PSMN2R0-30YL,115

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : PSMN2R0-30YL,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descripción : MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Serie : TrenchMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3980pF @ 12V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 97W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja : SC-100, SOT-669
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : PSMN2R0-30YL,115.pdf

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