VS-8EWS08S-M3 - DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
165230 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para VS-8EWS08S-M3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
VS-8EWS08S-M3
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción :
DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
800V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
8A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.1V @ 8A
Velocidad :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
-
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
50µA @ 800V
Capacitancia a Vr, F :
-
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor :
D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para VS-8EWS08S-M3
Hojas de datos :
VS-8EWS08S-M3.pdf
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