IPB049N08N5ATMA1 - MOSFET N-CH 80V TO263-3
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 80V TO263-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
378820 Pieces
Precio de referencia
Nuestro precio
- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])
- AX Semiconductor tiene IPB049N08N5ATMA1 en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para IPB049N08N5ATMA1. Nuestro correo electrónico: [email protected]
- Opciones de envío y tiempo de envío:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- Opciones de pago:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
Especificaciones para IPB049N08N5ATMA1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IPB049N08N5ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 80V TO263-3
Serie :
OptiMOS™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 66µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
3770pF @ 40V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IPB049N08N5ATMA1
Hojas de datos :
IPB049N08N5ATMA1.pdf
Productos relacionados para IPB049N08N5ATMA1 Infineon Technologies
| Número de pieza | Marca | Descripción | Comprar |
|---|---|---|---|
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. |
||
|
KEMET |
CAP CER 52PF 400VAC SL RADIAL. |
||
|
Vishay Vitramon |
CAP CER 10000PF 100V BP 1825. |
||
|
Vishay Vitramon |
CAP CER 3300PF 100V BX 0805. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 25PF 30KV. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 30KV AXIAL. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 1000PF 40KV. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 25KV R85. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 7600PF 18KV SCREW. |
||
|
EPCOS (TDK) |
CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 7600PF 14KV SCREW. |
||
|
Vishay Vitramon |
CAP CER 1000PF 100V 10 BX 0805. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 1000PF 40KV AXIAL. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
||
|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK. |