IPD80R1K4CEATMA1 - MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Número de pieza del fabricante

IPD80R1K4CEATMA1

Número interno de parte

AX-IPD80R1K4CEATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

850280 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IPD80R1K4CEATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPD80R1K4CEATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Serie : CoolMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.9A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 240µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 570pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 63W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO252-3

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPD80 , IPD80R1K

Documentos para IPD80R1K4CEATMA1

Hojas de datos : IPD80R1K4CEATMA1.pdf

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